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金融界2025年7月25日音讯，国家知识产权局信息数据显现，中科蓝谷半导体（广西）有限公司;广西大学请求一项名为“一种根据耗尽形式GaN HEMT的金属-半导体直流冲突纳米发电机”的专利，公开号CN120377695A，请求日期为2025年05月。
专利摘要显现，本发明公开了一种根据耗尽形式u‑GaN/AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管的金属‑半导体直流冲突纳米发电机。所述发电机包含钛(Ti)金属冲突层和耗尽形式GaN HEMT冲突层，经过界面冲突伏特效应发生直流电。本发明的中心在于使用u‑GaN/AlGaN/AlN/GaN异质结中的高浓度二维电子气(2DEG)和外表态特性，结合冲突伏特效应，完成高效机械能‑电能转化。在D‑GaN HEMT与金属的动态肖特基触摸中，冲突激起u‑GaN Cap中的非平衡载流子，内置电场别离电子和空穴，u‑GaN Cap外表态电子取得冲突能量跃迁至导带，战胜肖特基势垒构成电流；滑动过程中金属和半导体相互作用增加了外表态密度，激起很多电子并构成化学键，在AlN/GaN界面构成二维电子气在反向电场下回流，保持电子浓度并继续发生电流，终究在外部电路构成直流电。